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Thread - Seiten: -1-

000
27.07.2013, 09:57 Uhr
kaiOr

Hallo,

sind die Militärtypen VB880D, VB857D, VB855D etc. mit erweitertem Temperaturbereich (-25°C bis 85°C) eigentlich verkappte UA mit 4Mhz? Es ist schon seltsam, dass es keine VA gab.

Man bekommt doch sauberere Pegel und Temperaturentlastung indem man einen Schaltkreis langsamer taktet....

MfG

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001
27.07.2013, 16:19 Uhr
sas

Richt euch Augen gerade aus.
Beine sind parallel ;-

Zitat:

kaiOr schrieb
Hallo,

sind die Militärtypen VB880D, VB857D, VB855D etc. mit erweitertem Temperaturbereich (-25°C bis 85°C) eigentlich verkappte UA mit 4Mhz? Es ist schon seltsam, dass es keine VA gab.

Man bekommt doch sauberere Pegel und Temperaturentlastung indem man einen Schaltkreis langsamer taktet....

MfG

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002
27.07.2013, 21:35 Uhr
frassl

VB*** sind keine Militärtypen, sondern Industrietypen. Militärische IC haben den MEK4-Stempel (äußerst selten anzutreffen).

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003
28.07.2013, 07:42 Uhr
P.S.

Da muss ich frassl Recht geben - VB-Typen sind zwar für den erweiterten Temperaturbereich vorgesehen, aber an eine militärische Eignung werden noch weitaus höhere Forderungen gestellt - so z.B. eine gewisse Strahlen- Resistenz. Im Gegensatz zu Kunststoffgehäusen sollen bestimmte Keramikgehäuse diesbezüglich eine wesentlich bessere "Dämpfung" aufweisen, um den empfindlichen Chip zu schützen.
Auf http://www.ps-blnkd.de/BE-Ergaenzungen.htm - ganz unten bei den Bildern - ist ein solches Bauelement zu sehen, das möglicherweise ein MIL-Typ ist.

VB-Typen wurden z.B. im Mähdrescher E514 und im elektronischen Taxameter Botax80 http://www.ddr-rechentechnik.de/taxameter_b005gr.jpg eingesetzt.

Das Wissen der Menschheit gehört allen Menschen! -
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004
28.07.2013, 11:47 Uhr
kaiOr

Gut danke, also ist es die Industrietype mit erweitertem Temperaturbereich. Nutzt man den nicht aus kann man den IC folglich höher takten.
Ob das Die jetzt im Endeffekt eine Selektion zwischen UB & UA ist oder gar ein vollwertiger UA kann keiner sagen?

MfG

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005
28.07.2013, 19:56 Uhr
Tom Nachdenk

@P.S.
Keramikgehäuse sind vor allem gasdicht, was auf die Plastverkappten Typen nicht zutrifft. Meines Wissen sind was die Strahlung angeht Keramikgehäuse wegen dem darin enthaltenen Kalium 'problematisch', weswegen größere Speichermengen oft mit ECC Speicherschutz implementiert wurden. Kann natürlich sein das es auch spezielle hochdichte Keramikmassen gab, aber zumindest der Chip

http://www.cpu-world.com/forum/files/u880_587.jpg

hat ein ganz profanes Plastgehäuse.

@kaiOr
Da die Chips 'allesamt' von den selben Wafern stammen müsstest Du die vom Hersteller garantierten Kennwerte vergleichen bzw. auch die Ausmessverfahren. Wenn da ein VB Stempel drauf ist ist das halt nur ein VB Typ, was nicht heißt das der Chip nicht auch schneller könnte.

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006
28.07.2013, 20:12 Uhr
frassl

Schönes Bild, Tom ;-)

Dieser Beitrag wurde am 28.07.2013 um 20:27 Uhr von frassl editiert.

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007
28.07.2013, 20:38 Uhr
Tom Nachdenk

Kann ich nur zurückgeben frassl. Obwohl ich da irgendwie so ein 'Militär'logo o.ä. erwartet hätte.

Nun fehlt eigentlich nur noch die Spezifikation die einen Chip für den MEK4 Stempel qualifizierte.

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008
29.07.2013, 07:17 Uhr
P.S.

@Tom Nachdenk
Interessantes Bild! - Wie Du schon richtig bemerktest, fehlt zur korrekten Beurteilung die MEK-Spezifikation. Vielleicht kann da einer von den "Militärtypen" aus dem RT-Forum weiterhelfen.

Mein Statement bezüglich der Keramikgehäuse stammt von "unseren Freunden", die seinerzeit erklärten, dass bei ihnen in militärischen Anwendungen grundsätzlich nur ICs im Keramikgehäuse zum Einsatz kommen.
Die Frage ist halt auch, was ist "Strahlen-resistent"? Gegen harte Gamma-Strahlung hilft im Prinzip nichts - außer vielleicht meterdicke Bleiwände.
Also ist im Nahbereich einer Atombombenexplosion nichts sicher.
Anders bei der Teilchen-Strahlung - hier könnte ich mir schon vorstellen, dass mit speziellen Keramiken eine gewisse Abschirmung erreicht werden kann.
Bei dem U880C-Bild auf http://www.ps-blnkd.de/BE-Ergaenzungen.htm ist nach wie vor noch unklar, wo dieses BE gefertigt wurde (Zyklus II - Verkappung) - bei MME oder in der SU. Bei MME gab es - soweit mir bekannt - keine Verkappungstechnologie für 40pol-Keramik.

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009
29.07.2013, 10:03 Uhr
Rüdiger
Administrator

Zitat:

P.S. schrieb
Bei MME gab es - soweit mir bekannt - keine Verkappungstechnologie für 40pol-Keramik.

ZMD wird sowas sicher gehabt haben. Die hatten ja auch 48-polige verkappt.
--
Kernel panic: Out of swap space.

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010
29.07.2013, 14:03 Uhr
frassl

Mein U84C00 Vorproduktion ist 48polig Keramik eingehaust. Keine Ahnung obs eine Bondout Version ist oder das Gehäuse halt nur so verfügbar war.

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011
29.07.2013, 15:43 Uhr
holm

Avatar von holm

@PS: Deine 80-A CPU im russischen Gehäuse ist IMHO auch in Rußland bedruckt. bei der 488 rechts bin ich mir nicht sicher, aber das 80-A und das MME sind für mich klar erkennbar als ein "cyrillischer" Zeichensatz. Auf Grund meines Geramsches mit Röhren hab ich da ein fast untrügliches Gefühl dafür entwickelt :-)

Gruß,

Holm
--
float R,y=1.5,x,r,A,P,B;int u,h=80,n=80,s;main(c,v)int c;char **v;
{s=(c>1?(h=atoi(v[1])):h)*h/2;for(R=6./h;s%h||(y-=R,x=-2),s;4<(P=B*B)+
(r=A*A)|++u==n&&putchar(*(((--s%h)?(u<n?--u%6:6):7)+"World! \n"))&&
(A=B=P=u=r=0,x+=R/2))A=B*2*A+y,B=P+x-r;}

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012
29.07.2013, 18:03 Uhr
kaiOr

Das könnte dieses (äußerst wahrscheinlich in Russland verkappte) Gehäuse bestätigen:
http://sovietcpu.com/images/ussr_cpu/1858/MME_9212/MME_1_9212.jpg

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013
29.07.2013, 19:17 Uhr
CarstenSc

Wenn ich das richtig deute, handelt es sich offenbar bei dem russischen MME 80A von P.S. Webseite auch nicht um ein Produkt aus dem Hause Mikro Murks Erfurt.

Dieser Beitrag wurde am 29.07.2013 um 19:23 Uhr von CarstenSc editiert.

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014
29.07.2013, 20:11 Uhr
holm

Avatar von holm

Doch Carsten, ich denke schon das der Chip selbst von MME stammt, aber das die Dinger halt
als Wafer in den Export gegangen sind. MME wird versucht haben Alle irgendwie absetzbare noch zu verkaufen, der DateCode 92 legt Sowas nahe..

Gruß,

Holm
--
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Dieser Beitrag wurde am 29.07.2013 um 20:11 Uhr von holm editiert.

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015
29.07.2013, 20:34 Uhr
CarstenSc

Ok. Aber ein Gehäuse 1992 mit den Initialen einer längst nicht mehr existierenden Firma zu stempeln finde ich sonderbar.

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016
30.07.2013, 08:17 Uhr
P.S.

@Rüdiger <009>
Das U880-System war aber kein Erzeugnis von ZMD, somit hatten die nichts damit zu tun. Allerdings ist nicht auszuschließen, dass im Rahmen der "sozialistischer Zusammenarbeit" für diesen speziellen Fall Unterstützung gewährt wurde.

@frassl
Sicherlich gab es in der F&E vom MME handbetriebene Waferstepper, mit dem man auch Chips in importierte Keramikgehäuse bonden konnte. Für eine Serienfertigung wäre dies aber viel zu zeitaufwändig und demzufolge unwirtschaftlich - was allerdings für LVO keine Rolle spielte.
So einen US-Waferstepper konnte ich bei der letzten "Beräumung" des HFO-Nachfolgers SMI bestaunen - war leider viel zu groß und zu schwer für einen adhoc-Transport. Wir wollten für den www.industriesalon.de die zahlreich noch vorhandenen TSA sichern - leider war ein LKW-Transport so schnell nicht finanziell zu organisieren und dann hatten schon die "Besenrein"-Profis das Sagen.

@CarstenSc
Warum sollte MME so einen schlechten Ruf gehabt haben - "Mikro Murks Erfurt"? Mir sind eigentlich keine Qualitätsprobleme an ausgelieferten Bauelementen bekannt. Im Gegensatz zu heutiger HL-Produktion gab es damals eine Stückprüfung für jedes BE am Ende der technologischen Kette. Allerdings waren des öfteren "interne" Qualitätsprobleme der Grund von so genannten "Ausgleichsimporten". Damit dies funktionierte, war es ja auch so wichtig die BE 1:1 "nachzuempfinden".

Mit welchem Aufwand eine HL-Bauelementeproduktion bereits in den 1960er Jahren zu stemmen war, konnte ich jüngst nochmal nachlesen in Hornungs "Diodenbibel" (WFB). Dieses einmalige Werk über die "Interna" einer vergleichsweise einfachen HL-Bauelementeproduktion (Dioden) liegt jetzt OCR-bearbeitet in digitaler Form vor.

@holm
Leider ist ja wohl hier im Forum niemand aus dem MME, der befragt werden könnte. Meine Insider-Quelle schweigt schon seit Jahren...
Und dann ist ja LVO-Produktion noch ein ganz besonders heikles Thema...

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PS

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017
30.07.2013, 13:28 Uhr
paulotto

Zitat:

P.S. schrieb
@Rüdiger <009>
Das U880-System war aber kein Erzeugnis von ZMD, somit hatten die nichts damit zu tun. Allerdings ist nicht auszuschließen, dass im Rahmen der "sozialistischer Zusammenarbeit" für diesen speziellen Fall Unterstützung gewährt wurde.
PS

ZMD oder in dem Falle noch IMD hatte insofern mit dem Z80-System zu tun, als daß die Voruntersuchungen zum 8080/Z80-System in Dresden gelaufen sind. Ich hatte z.B. das Chipfoto des Z80 bei mir auf dem Schreibtisch. Es war aber von vornherein klar, daß die Entwicklung und Fertigung in Erfurt laufen sollte. Die n-MOS-Technologie dazu wurde in Dresden entwickelt. Der Protopyp für diese Prozeßentwicklung war der U202.
Zur Verkappungstechnologie (Zyklus II):
Die Verkappung der Chips unterscheidet sich nicht groß ob nun in Keramik oder in Plaste verkappt wird: grundsätzlich wird der Chip zunächst auf den Trägerstreifen gebondet und die Anschlüsse zu den Pins hergestellt. Erst dann kommt das Gehäuse drum. Bei Plaste im Spritzguß oder bei Keramik mit Anglasen der Gehäuseschalen wie bei den D1xx-Typen z.B.. Das 2. Verfahren ist aber für MOS wegen der zu hohen Verschlußtemperaturen nicht zu gebrauchen. Deshalb die Mehrschichtkeramikgehäuse mit dem Blechdeckel. Auch da wird der Chip zuerst auf die Grundfläche im Gehäuse gebondet und dann die Drähte vom Chip zu den Pins gebondet. Prinzipiell unterscheidet sich das nicht von der Plasteverkappung. Die Maschinen können beides verarbeiten. Worin man verkappt hat, hängt bei der Prototypenentwicklung auch damit zusammen, was man machen will: da konnte es auch sein, daß ein Chip mal in ein zu großes Gehäuse gebondet wurde, weil das gerade verfügbar war. Wir haben z.B. auch einen Vorläufer des B555 (etliche Jahre früher, als der dann offizell von Frankfurt kam) in ein 14-pol. DIL-Gehäuse gebondet, weil keine 8-pol. Trägerstreifen und Spritzwerkzeug dafür zu dieser Zeit zur Verfügung standen (weil es zu dieser Zeit noch kein 8-pol. IC auf dem DDR-Markt gab). Wir haben dann einfach noch ein npn-Transistorpärchen mit auf den Chip gebracht. Die Pinkonfiguration der 8 Pins des 555 war aber mit dem Original identisch. Die Keramikgehäuse mit Deckel wurden auch verwendet, um später leichter nochmal auf den Chip schauen zu können. Wenn der IC aber später in Plaste produziert werden sollte, wurde aber auch eine größere Menge im Plastegehäuse produziert z.B. auch für die Langzeituntersuchung in der Temperaturkammer, um realistische Bedingungen zu haben.

Gruß,

Klaus

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018
31.07.2013, 08:49 Uhr
P.S.

@paulotto <017>
Danke für Deine Insider-Informationen!

Zur Verkappungstechnologie in Keramik ist allerdings noch etwas zu ergänzen. Richtig ist, dass anfangs mit Keramikschalen und ebenso, wie bei der Plastverkappung mit Trägerstreifen gearbeitet wurde. Das betrifft die frühen TTL-ICs der D100-Serie - vornehmlich aus der AMD/...
Es gibt aber auch die andere Variante mit der Mehrschichtkeramik. Dort sind die Pins, Leiterbahnen und ein "Lötplatz" (vielleicht auch Klebung ?) für das Chip schon angelegt, so dass nur noch mittels speziellem Ultraschall-Stepper die Bondung zwischen Chip und Keramikträger hergestellt werden muß, nachdem das Chip befestigt wurde. Die anschließende Abdeckung mittels Metalldeckel, bzw. Quarz-Glasdeckel bei EPROMs schützt den Chip vor Umwelteinflüssen, bzw. läßt auch das UV-Licht durch zum Löschen des EPROMs.
Es liegt also auf der Hand, dass es zwei unterschiedliche Montagetechnologien gibt - mit und ohne Trägerstreifen - je nach verwendetem Gehäusetyp.
Die im MME vorhanden gewesene Keramik-Verkappungstechnologie betraf vordergründig EPROMs bis 28pol. (z.B. U2716C, U2732C) und war die Variante ohne Trägerstreifen. Hingegen gab es westliche "Ausgleichsimporte" in Schalenbauweise mit Trägerstreifen (z.B. von ST). Anders hingegen waren die "Ausgleichsimporte" aus der UdSSR, z.B. K573RF5 ebenfalls ohne Trägerstreifen und mit Quarzglas-Deckel.
Die in http://www.ps-blnkd.de/BE-Ergaenzungen.htm abgebildete Z80-CPU ist in einem in der DDR unüblichen 40pol-Keramikgehäuse (Mehrschichtkeramik) mit Metalldeckel. Diese eher russische Variante legt zwar die Vermutung nahe, dass die Verkappung (Zyklus II) in der SU stattgefunden hat, aber dann wäre die BE-Beschriftung doch sehr merkwürdig.

Das Wissen der Menschheit gehört allen Menschen! -
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PS

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019
31.07.2013, 09:23 Uhr
paulotto

Hallo Peter,

ich hatte doch schon über die Mehrschichtkeramikgehäuse geschrieben...
Der Chip wird bei den Mehrschichtkeramikgehäusen mit Ultraschall mit so einer Art Anreibschweißen auf dem mit Gold überzogenen Boden befestigt, die Bonddrähte dann normal wie auch bei Arbeit mit Trägerstreifen gebondet. Bei den Trägersteifen weiß ich aber nicht mehr, wie da die Chips befestigt werden.
Die Bonddrähte bestehen entweder aus Alu oder Gold. Je nach Material stehen 2 Verfahren zur Drahtbondung zur Verfügung.

Gruß,

Klaus

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