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Robotrontechnik-Forum » Sonstiges » DDR-Halbleitertechnologie "Ionenstrahl-Lithografie" » Themenansicht

Autor Thread - Seiten: -1-
000
17.10.2023, 10:23 Uhr
P.S.



Vielleicht sind dem Einen oder Anderen die "Oiger"-Seiten aus Dresden bekannt. Nun ist dort ein Artikel aufgetaucht, der sich mit den o.g. Thema beschäftigt und den wollte ich Euch nicht vorenthalten:
https://oiger.de/2023/04/04/ddr-hoffte-auf-ionen-abkuerzung-in-die-nano-chipwelt/186274
Die Technologie der Ionenimplantation ist mir bekannt und daß es die größten Schwiegigkeiten gab solche Gerätschaften für den Serienbedarf aus dem NSW zu beschaffen auch. Eigentlich sollte die UdSSR diese Technologie (nach-)entwickeln, aber die sind wie so oft "nicht aus der Hüfte gekommen" - wie wir es damals immer so treffend genannt hatten.
Auch von den Bestrebungen mit sog. Ionenstrahl-Lithografie, d.h. die Ionenstrahl-Implantation als Alternative zur herkömmlichen Foto-Lithografie die Probleme der weiteren Strukturverkleinerung zu beherrschen hatte ich zwar gehört, aber daß es sich dabei um eine DDR-Erfindung gehandelt haben soll, ist mir nun doch neu.
In der Dissertation "Lithografie-Projekt" von H. Becker 1991 (mir liegt die leider nur auszugsweise vor) wird die Ionenstrahl-Implantation zwar nicht erwähnt, aber bereits in Prof. Schades "Halbleitertechnologie" Bd. 2 von 1983 (VEB Verlag Technik) wird in einem umfangreichen Literaturverzeichnis auf den internationalen Wissensstand dazu hingewiesen.
Wahr ist allerdings, daß die Herstellung entsprechender Gerätschaften zur Ionenimpantation extrem kompliziert sind, so daß hierzu mit langjährigen F/E-Aufwand zu rechnen gewesen ist ... Zeiss hatte sich zum Schluß auch noch daran versucht.

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PS
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001
17.10.2023, 18:57 Uhr
Bert




Zitat:
P.S. schrieb
Zeiss hatte sich zum Schluß auch noch daran versucht.


Wir (meine Kollegen und ich) versuchen uns auch gerade daran. Ziel ist die Einzelionenimplantation...

Grüße,
Bert
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002
17.10.2023, 19:07 Uhr
Reiko



also heutzutage sind die Ionenimplantiation Anlagen zwar auch komplex, aber werden im Hochvolumen eingesetzt wie jeder andere Halbleiteranlage auch

https://www.appliedmaterials.com/us/en/semiconductor/products/processes/implant.html

Inwiefern man in Zukunft einzelne Ionen gezielt an gewisse Stellen bringt, weiss Bert da vielleicht besser.

Bei aktuellen Halbleiterprozessen wird mit hoher Energie schon eine gewisse Dosis eingebracht um den CMOS-Transistor zu bauen
Allerdings braucht es immer noch Fotomasken, da wird sich schon schnell auch nichts ändern.
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003
18.10.2023, 10:57 Uhr
P.S.



Noch eine Ergänzung zu <000>
In dem o.g. Oiger-Text werden einige mir auch nicht bekannte Chip-Entwickler ("Entwerfern") aus dem IMD/ZFTM/ZMD und anderen Institutionen namentlich erwähnt, die vielleicht u.a. Klaus(paulotto) noch bekannt sein könnten.
Die Leute von https://t3.silicon-saxony.de/ueber-uns/verein/silicon-saxony-alumni-me/ wollen das historische Wissen der ehemals Beteiligten an der DDR-Mikroelektronik-Halbleiter "abgreifen".
Wer also noch was beizutragen hat ...

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