IC-Benennungen

Beschriftung der DDR-Schaltkreise

Beispiel für einen DDR-Schaltkreis
(U2164D von März 1988)

1. Buchstabe

A: Analoger Schaltkreis, bipolar
D: Digitaler Schaltkreis, bipolar
U: Digitaler Schaltkreis, unipolar, Temperaturbereich 0°C - +70°C
V: Digitaler Schaltkreis, unipolar, Temperaturbereich -25°C - +85°C

2. Buchstabe

A: 4 MHz
B: 2 MHz
Ohne: 2 MHz

Ein angehängter Buchstabe "C" weist auf ein keramisches Gehäuse hin, ein angehängtes "D" auf ein Kunststoffgehäuse, ein "P" steht für ein PLCC-Gehäuse und ein "G" für eine Sonderbauform (Befestigung in einer Aussparung der Leiterplatte, z.B. bei den Taschenrechnern).

In den 1980er Jahren erfolgten die Schaltkreis-Kennzeichnungen für Exportzwecke manchmal mit den entsprechenden internationalen Kurzbezeichnungen z.B. "7400" oder "80-CPU".

Das Herstellungsdatum war in Form zweier Zeichen codiert:

Erstes Zeichen	Bedeutung	Zweites Zeichen	Bedeutung
F	1975	1	Januar
H	1976	2	Februar
I	1977	3	März
K	1978	4	April
L	1979	5	Mai
M	1980	6	Juni
N	1981	7	Juli
P	1982	8	August
R	1983	9	September
S	1984	O	Oktober
T	1985	N	November
U	1986	D	Dezember
V	1987
W	1988
X	1989
A	1990

Vorher gab es andere Kennzeichungsschemata, die Herstellerspezifisch und auch nicht immer konsistent waren. So hatte das HFO einen Zwei-Buchstaben-Code, von dem der erste Buchstabe den Monat (A=Januar, B=Februar, C=März, D=April, F=Mai, H=Juni, I=Juli, K=August, L=September, M=Oktober, N=November, P=Dezember) und der zweite das Jahr (beginnend wahrscheinlich 1960) kennzeichnete.

Beschriftung der sowjetischen Schaltkreise

Beispiel für einen sowjetischen Schaltkreis
(KR537RU2 von Oktober 1987)

1. Buchstabe: K=Silizium, M=Germanium

2. Buchstabe (falls vorhanden): R=Keramikgehäuse, M=Kunststoffgehäuse

Drei oder vier Ziffern: die Schaltkreisklasse (nur eine Auswahl aufgelistet)

110	RTL
113	DCTL
129	Transistorarrays
130	High speed TTL
131	High speed TTL
133	TTL
136	Low power TTL
145	CMOS/RMOS
155	TTL
158	Low power TTL
159	Transistorarrays
163	?
170	Analog
176	?
198	Transistorarrays
500	ECL
511	LSL
525	?
530	Schottky TTL
531	Schottky TTL
533	Low power Schottky TTL
537	CMOS
555	Low power Schottky TTL
558	?
561	CMOS
565	MOS
572	?
573	MOS
580	DTL/TTL/NMOS
581	NMOS
583	TTL/I²L
584	TTL/I²L
586	NMOS
587	CMOS
588	CMOS
589	Schottky TTL
1013	CMOS
1800	ECL
1801	NMOS
1802	Schottky TTL/ECL
1804	Schottky TTL
1810	NMOS/TTL
1816	NMOS
1839	CMOS

3.+4. Buchstabe: Funktion (nur eine Auswahl aufgelistet):

AF	Horizontalkombination
AG	Multivibrator
AP	Bustreiber, Leitungstreiber
DA	Demodulator
E	JK-Master-Slave-Flipflop
EN	Spannungsregler
GF	Taktgenerator
ID	Dekoder
IE	Zähler
IK	Mikroprozessorsystem
IM	Adder
IP	Generatoren
IR	Register/Bustreiber/Schieberegister
KP	Multiplexer
KT	Stromquelle
LA	NAND
LD	Expander
LE	Expander, NOR
LF	RGB-Schaltung
LI	AND
LL	OR
LN	NOT
LP	XOR, Leitungstreiber
LR	Expander, NOT, AND/NOR
MA	Multiplizierer
PP	Anzeigetreiber
PR	Konverter/Umsetzer
PU	Pegelumsetzer
RA	RAM
RE	ROM
RF	ROM
RP	Register
RU	RAM
SA	Komparatoren
SP	Vergleicher
TB	JK-Flipflop
TL	Schmitt-Trigger
TM	D-Flipflop, Speicherregister
TS	Schmitt-Trigger
TW	JK-Master-Slave-Flipflop
UD	Operationsverstärker
UN	Verstärker
UP	Leitungsempfänger
US	Verstärker
UT	Verstärker
UW	Verstärker
WA	Bustreiber
WE	Prozessor mit Speicher
WG	Bustreiber
WI	Zeitgeber
WM	Prozessor
WS	Prozessor
WW	Peripherieschaltkreise

Ein oder zwei Ziffern: fortlaufende Nummer

Herstellungsjahr und -Monat standen im Klartext auf den Schaltkreisen.

Letzte Änderung dieser Seite: 04.02.2025 123

Herkunft: www.robotrontechnik.de